مواصفات التكنولوجيا S4B R7
المواصفات الفنية Taiwan Semiconductor Corporation - S4B R7 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Taiwan Semiconductor Corporation - S4B R7
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Taiwan Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.15 V @ 4 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-214AB (SMC) | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1.5 µs |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-214AB, SMC | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 100 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 4A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 60pF @ 4V, 1MHz |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Taiwan Semiconductor Corporation S4B R7.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | S4B R7 | MURS240T3G | ES3G R7G | SBR8U60P5Q-13D |
| الصانع | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation | Diodes Incorporated |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| سلسلة | - | - | - | Automotive, AEC-Q101, SBR® |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1.5 µs | 65 ns | 35 ns | - |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Super Barrier |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-214AB (SMC) | SMB | DO-214AB (SMC) | PowerDI™ 5 |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 4A | 2A | 3A | 8A |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 10 µA @ 100 V | 5 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V | 330 µA @ 60 V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 60pF @ 4V, 1MHz | - | 30pF @ 4V, 1MHz | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| حزمة / كيس | DO-214AB, SMC | DO-214AA, SMB | DO-214AB, SMC | PowerDI™ 5 |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.15 V @ 4 A | 1.3 V @ 2 A | 1.3 V @ 3 A | 530 mV @ 8 A |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 400 V | 400 V | 60 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات S4B R7 PDF ووثائق Taiwan Semiconductor Corporation لـ S4B R7 - Taiwan Semiconductor Corporation.
MURS240T3GonsemiDIODE GEN PURP 400V 2A SMB
S4B-ZR-SM4A-TFJSTES3G R7GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 400V 3A DO214ABSBR8U60P5Q-13DDiodes IncorporatedDIODE SBR 60V 8A POWERDI5 T&R
CDBA5150-GComchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 150V 5A DO214AC
S4B-ZR-SM3A-TFJST Sales America Inc.CONN HEADER SMD R/A 4POS 1.5MM
MBRM130LT3GonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 1A POWERMITE
1N5819GMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41S4B-PH-SM4-R-TBJST
S4B-EHJST Sales America Inc.CONN HEADER R/A 4POS 2.5MM
S4B5A110PJRTexas Instruments
S4B-ZR(LF)(SN)JST Sales America Inc.CONN HEADER R/A 4POS 1.5MMS4B-PH-SM4-TBJST
S4B-XH-A(LF)(SN)JST Sales America Inc.CONN HEADER R/A 4POS 2.5MM
VS-MBRA120TRPBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214ACS4B-XH-AS4B-EH(LF)(SN)JST Sales America Inc.CONN HEADER R/A 4POS 2.5MMS4B5A100PJRTexas Instruments| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.